João Antonio Martino.

O projeto "Centros de Treinamneto em Projetos de CI - 2017 tem por objetivo estimular e apoiar as atividades de pesquisa e desenvolvimento (P&D) na área de semicondutores, realizando ações de capacitação e treinamento de recursos humanos em projetos de P&D através de:
a)Fornecer bolsas SDT, através do CNPq, para os alunos (fases I, II e III), estagiários e instrutores dos Centros de Treinamento de projetistas de circuitos integrados em Porto Alegre (CT-RS) e em São Paulo (CT-SP);
b) Fornecer apoio às instituições de ensino e pesquisa, através de edital específico do CNPq, bem como bolsas DTC, SDT e SIT para a formação e treinamento de alunos do Programa Brazil-IP.

Este projeto faz parte do Instituto Nacional de Ciências e Tecnologia (INCT) intitulado Nanotecnologia aplicada em sensores, dispositivos semicondutores e tecnologias quânticas (NanoQuantSS), Processo CNPq n. 408596/2024-4. É uma ampla rede de pesquisa colaborativa (80 doutores, 15 universidades e 5 empresas) focada em pesquisa, desenvolvimento, inovação, formação de recursos humanos e divulgação científica em cinco áreas principais:Área 1) Dispositivos semicondutores nanotecnológicos: Tecnologias como Nanosheet, Forksheet, CFET, são essenciais para circuitos e processadores de próxima geração, com impacto direto em computadores, celulares e comunicação móvel 5G/6G.Área 2) Sensores nanotecnológicos: Incluem sensores ópticos, químicos e biológicos que integrarão a sociedade sensorizada, com aplicações significativas na medicina e no monitoramento ambiental, com fabricação totalmente no Brasil.Área 3) Estruturas nanotecnológicas para dispositivos de potência: Para eletrificação veicular, fundamentais para a redução de emissões de carbono. A CEITEC, empresa nacional vinculada ao Governo Federal e parceira deste INCT, fabricará esses dispositivos com base no desenvolvimento realizado nas instituições participantes.Área 4) Tecnologias e dispositivos de comunicação e criptografia quântica: Envolvem a fabricação de Qubits, circuitos e sistemas de controle, fomentando o avanço da computação quântica no Brasil.Área 5) Divulgação científica em nanotecnologia e tecnologias quânticas por meio de workshops, oficinas, redes sociais, hubs e materiais educativos.O INCT impulsionará o setor de tecnologia avançada no Brasil, promovendo competitividade e independência tecnológica. Seu impacto inclui computadores e celulares mais rápidos, veículos elétricos para redução de emissões de carbono e avanços na computação quântica, transformando o país em um protagonista em inovação tecnológica e contribuindo para uma sociedade mais sustentável e avançada.

Este projeto do CNPq (407915/2024-9) visa apoiar a aquisição de licenças de softwares para projetos de circuitos integrados e a fabricação de projetos integrados selecionados (tapeouts) para toda a comunidade nacional.

O objetivo deste PROJETO UNIVERSAL do CNPq (Processo n. 408804/2023-8) é a proposta de uma plataforma nacional biossensora, utilizando biossensores fabricados no Brasil (LSI/USP), utilizando assim o conhecimento de dispositivos semicondutores adquirido ao longo de muitos anos de pesquisa para propor uma ferramenta (o sensoriamento precoce) que proporcione esta melhoria mostra a necessidade do desenvolvimento deste projeto. O elemento biossensor a ser utilizado na detecção da Glicose e Potássio será o BE SOI MOSFET (transistor patenteado pelo LSI/USP em 2015) que está em fase de desenvolvimento para uso como biossensor e requer mais estudo e fabricação para obter sua estabilidade. O elemento biossensor para a detecção da vitamina D3 será o diodo de barreira Schottky (Biodiodo) que está também em fase de desenvolvimento para esta aplicação.

O objetivo deste projeto FINEP é a reforma e a modernização da sala limpa do LAMINA/USP voltada a realização de processos de microfabricação para a fabricação de componentes eletrônicos avançados e desenvolvimento de novas tecnologias que permitirá a implementação de linhas de pesquisa inovadoras estratégicas para o país, avançando com a independência tecnológica do Brasil.

Este projeto refere-se ao trabalho a ser implementado decorrente da bolsa de produtividade do CNPq nível 1A (Processo n. 313380/2021-0). Em todo o mundo, milhões sofrem de doenças crônicas graves, como diabetes ou condições cardiovasculares entre outros. O controle inadequado dessas condições pode levar a recaídas constantes, hospitalizações e um risco aumentado de morte prematura. Atualmente, as doenças crônicas causam mais de 60 de todas as mortes anuais em todo o mundo, que, considerando o envelhecimento e o rápido crescimento da população mundial, está previsto um aumento de até 52 milhões até 2030. As doenças crônicas também estão associadas a altos custos de saúde agravado pelas técnicas de diagnóstico obsoletas que não podem fornecer monitoramento em tempo real e rápido. Como alternativa para um diagnóstico mais rápido e eficiente, o estudo de Bio-FETs (Bio: biossensores/transdutores com FET: transistores de efeito de campo) tem sido foco de estudo em todo o mundo. No caso deste projeto o estudo se torna ainda mais interessante pelo fato que transistor utilizado ser o BE SOI MOSFET, que é um transistor de efeito de campo projetado, fabricado e patenteado no Brasil (LSI/USP). O estudo de um amplificador de tensão projetados com uma tecnologia compatível ao do biossensor para viabilizar futura integração é também um passo importante para domínio da tecnologia da saúde em nível nacional. Além do resultado técnico a ser alcançado, a formação de recursos humanos qualificados na área é também importante para o Brasil. Segue abaixo de forma resumida as contribuições esperadas como resultante deste projeto: 1) Proposta de uma sequência de fabricação nacional aperfeiçoada do BE SOI MOSFET para funcionamento como biossensor; 2) Caracterização elétrica profunda do BE SOI MOSFET (dispositivo nacional) e respectivas publicações dos resultados obtidos em conferências e revistas internacionais de primeira linha na área; 3) Teste do BE SOI MOSFET como um dispositivo biossensor (inicialmente com Glicose e se houver tempo com outro elemento como por exemplo o Potássio) e respectivas publicações dos resultados obtidos em conferências e revistas internacionais de primeira linha na área; 4) Projeto de amplificadores operacionais com tecnologias compatíveis a do biossensor para futura interação e respectivas publicações dos resultados obtidos em conferências e revistas internacionais de primeira linha na área; 5) Formação de recursos humanos (pelo menos 5 mestrados e 3 doutorados) especializados na área de biossensores compostos por transistores de efeito de campo (BioFETs) e amplificadores de tensão integrados.

Este projeto de pesquisa (CNPq-Universal: 426072/2018-9) propõe a caracterização elétrica do BE SOI MOSFET funcionando como biossensor, assim como propõe a fabricação inédita de um novo dispositivo, que chamaremos de transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (BE SOI Túnel-FET), tomando como base a estrutura do BE SOI MOSFET. A proposta é que ambos os dispositivos sejam utilizados como elemento biossensor (Bio-FET), na qual seu desempenho e princípios físicos serão avaliados a partir da observação das curvas características dos transistores fabricados (inseridos ou não em meios biológicos) e de simulações numéricas para estudo da sua física de funcionamento. Como elemento de teste será utilizado inicialmente a glicose, por ser já bem conhecida, para testar a sensibilidade deste dispositivo como biossensor que uma vez validado será também testado para outros elementos a serem selecionados durante pesquisa.

INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos, apresentado no âmbito da Chamada INCT - MCTI/CNPq/CAPES/FAPs nº 16/2014, sob coordenação do Prof. Jacobus Willibrordus Swart. No processo de análise de mérito técnico-científico, realizada por consultores 
estrangeiros e brasileiros, o projeto integra a relação das propostas que receberam recomendação de financiamento, no âmbito da referida Chamada. O projeto foi classificado na posição 108, dos projetos aprovados no edital. CNPq emitiu certificado de Selo INCT em outubro de 2017, atestando a excelência do projeto. O projeto proposto lida com o desafio de estudar, projetar e desenvolver elementos de hardware e software a serem utilizados na formação de Redes de Sensores sem Fio usadas em associação com outras tecnologias com objetivo de habilitar a Internet das Coisas. A base para o desenvolvimento e o ponto de partida do projeto de pesquisa proposto neste documento será o trabalho que vem sendo desenvolvido desde o Instituto do Milênio (período), INCT NAMTEC ( 2009-2014) e cujas contribuições contam com a participação de pesquisadores de diferentes áreas do saber tais como física, química, engenharias, computação, etc. O projeto ainda assume compromissos com a formação de recursos humanos, popularização da ciência e fortalecimento de grupos incipientes da área de micro e nanoeletrônica bem como o fortalecimento das interações com empresas considerando a inovação e a transferência de tecnologia. As principais oportunidades de pesquisa em Redes de Sensores sem Fio decorrem de suas características particulares, da novidade e da interdisciplinaridade do tema. Os desafios de sistemas embarcados e elementos de hardware para Redes de Sensores sem Fio e Internet das Coisas não é trivial, uma vez que o projeto desses sistemas deve considerar avanços em micro e nanoeletrônica. Em particular, a pesquisa e desenvolvimento desses elementos de hardware e software deve considerar a eficiência energética, a integração em hardware de dispositivos, circuitos e IPs que ainda estão em desenvolvimento, as diferentes características das aplicações em potencial, o ambiente onde vão operar além do projeto de compiladores e protocolos de comunicação que promovam a formação de redes e aplicações de IoT em atendimento as expectativas do mercado. Os desafios comuns em todo projeto de Redes de Sensores sem Fio e Internet das Coisas estão relacionados com a especificação dos requisitos dos elementos a serem desenvolvidos pela micro e nanoeletrônica. O INCT NAMITEC vem respondendo a estes desafios considerando diferentes aplicações e cenários de RSsF e IoT, desenvolvendo pesquisa e avanços tecnológicos nas áreas de técnicas e processos de nano e microfabricação, desenvolvimento de dispositivos sensores, orgânicos e fotovoltáicos, desenvolvimento de nanodispositivos eletrônicos, de sistemas e circuitos micro e nanoeletrônicos e sistemas embarcados, novas técnicas de colheita e de gestão de energia, assim como de projeto de circuitos e sistemas ultra-eficientes e de ultra-baixo consumo. Tão importante quanto, o INCT NAMITEC vem trabalhando na criação de conjuntos de tecnologias integradas (plataformas tecnológicas) que permitam realizar síntese, caracterização, seleção, modificação das propriedades, montagem, testes e outras operações necessárias para produção de componentes, produtos e sistemas complexos com alto desempenho. É esperado que nos próximos anos as Redes de Sensores sem Fio venham a ser utilizadas em diferentes aplicações, incluindo ambientes de IoT e que sirvam como base para ferramentas de certificação em sistemas ambientais, sociais e econômicos e que tragam ainda mais contribuições para o cotidiano. Adquirir conhecimentos na fabricação de hardware (componentes e circuitos micro e nanotecnológicos) e software bem como promover o surgimento de novas gerações de pesquisadores em micro/nanoeletrônica.

Este projeto (CNPq- Universal n. 423554/2016-6) estuda uma alternativa para minimizar a potência dissipada em transistores avançados, o chamado transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET - Tunneling Field Effect Transistor). Este dispositivo é compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (Ioff) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec à temperatura ambiente) normalmente encontrados nos transistores MOS, o que permite que o TFET se comporte como uma chave mais próxima da ideal, i.e., este novo dispositivo apresenta um grande potencial para operar com maior de velocidade de chaveamento. Esse projeto visa estudar de forma inédita no Brasil o uso de um transistor TFET para aplicações em circuitos analógicos (como por exemplo, espelhos de corrente e par diferencial) e biosensores. Este estudo será feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental.

Este projeto (CNPq- Universal n. 476812/2013-5) tem como finalidade entender mais profundamente estes novos dispositivos (Tunnel - FETs) para poder explorar suas potencialidades em aplicações analógicas e digitais tanto em temperatura ambiente como variando-se a mesma. Uma análise mais detalhada será feita sobre a influência do tunelamento entre bandas, o tunelamento assistido pelas armadilhas e a recombinação dos portadores, que são muito importantes no funcionamento destes transistores. A caracterização elétrica dos principais parâmetros de diversas estruturas TFETs, será realizada através de simulações numéricas e de medidas experimentais. As medidas DC serão medidas com os equipamentos já existentes no Laboratório LSI/PSI/USP, ou seja, através do analisador de parâmetros HP4156C e B1500. No entanto para a realização de medidas de alta precisão é necessária à aquisição de uma SMU de alta resolução capaz de medir correntes na ordem de pico amperes solicitada neste projeto. Dentre os parâmetros a serem analisados pode-se citar, a inclinação de sublimiar, a relação entre as correntes de estado ligado e desligado, a transcondutância, a condutância de saída, o ganho de tensão intrínseco, as capacitâncias do dispositivo e a frequência de corte. Pretende-se, portanto com este trabalho, contribuir com a comunidade científica nacional através dos resultados sobre o potencial dos transistores TFETs para substituir os transistores convencionais e suas aplicações na próxima década.

Este projeto (CNPq-Produtividade em Pesquisa, n.310545/2011-0) tem como finalidade o estudo de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas (MuGFET) através do projeto, fabricação e caracterização elétrica desta estrutura. Este tipo de transistor tem uma estrutura de canal tri-dimensional (3D) e apresenta-se com alternativa tecnológica para os circuitos integrados sub 22 nm. Na parte de caracterização será dada ênfase ao uso estudo deste tipo de transistor (MuGFET) aplicado na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless) normalmente utilizado em memórias convencionais.

Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n.490236/2011-1) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) ao Interuniversity Microelectronic Center (Imec) da Universidade Católica de Leuven (KULeuven), Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar o comportamento de diversos transistores SOI avançados para funcionar como uma célula de memória dinâmica (DRAM) composta de um só transistor, sem a presença do capacitor (capacitorless) de armazenamento de informação normalmente encontrado neste tipo de memória.

Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480402/2012-4) tem como finalidade o estudo do comportamento de transistores SOI avançados fabricados com as tecnologias SOI CMOS planares de óxido enterrado ultrafino (UTBOX) e de múltiplas portas (MuGFET: FinFET por exemplo) aplicados na implementação de células de memória dinâmica contendo um só transistor (1T-DRAM), sem a necessidade de uso do capacitor de armazenamento (capacitorless), normalmente utilizado em células de memórias DRAM convencionais. O estudo será feito em temperatura ambiente e em temperatura de operação típica, que é da ordem de 85o C. Desta forma neste projeto será estudado a aplicação destas estruturas avançadas como célula 1T-DRAM, de forma a avaliar quais estruturas são mais promissoras para a função.

Este projeto de cooperação internacional (CNPq-Brasil/FWO-Bélgica, n. 490288/2009-0) visa à obtenção de auxílio financeiro para viabilizar missões de pesquisadores brasileiros da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (USP) ao Interuniversity Microelectronic Center (IMEC) em Leuven, Bélgica. A finalidade deste projeto é de estudar, de forma inédita, teórico e experimentalmente a influência da temperatura (numa faixa de 80K a 500K) no comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas (FinFET) avançados.

Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n. 480050/2009-0) tem como finalidade o estudo teórico e experimental do comportamento de dispositivos fabricados com as tecnologias SOI CMOS planar e de múltiplas portas (FinFET) com relação aos principais parâmetros elétricos dos transistores implementados. Em seguida será avaliada a influencia da tecnologia de tensionamento de canal do transistor nestas tecnologias. Será analisado tanto o tensionamento uniaxial como o biaxial. Na sequencia será estudada a influencia da temperatura nestes dispositivos, desde temperatura ambiente até baixas temperaturas (até 80 K). Desta forma, neste projeto será estudado de forma inédita o comportamento digital e analógico dos dispositivos contendo os 3 avanços tecnológicos acima indicados em um só componente (FinFET + Canal Tensionado + Baixas Temperaturas). O estudo será realizado através de medidas experimentais e simulações numéricas tridimensionais a partir da obtenção dos principais parâmetros elétricos dos dispositivos.

Este projeto de pesquisa (FAPESP-Temático, Processo 2008/05792-4) tem como finalidade o projeto, fabricação, caracterização elétrica e modelagem de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET.

INCT de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos , Processo CNPq no. 573738/2008-4 e processo FAPESP no.2008/57862-6, Período: 2009 a 2015.

Este projeto (CNPq - Produtividade em Pesquisa, n.304593/2008-7) tem como finalidade o projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores de porta tripla construídos em lâminas SOI. Estes transistores são as estruturas mais promissoras para as próximas gerações da tecnologia de fabricação de circuitos integrados CMOS. Na etapa de caracterização elétrica serão utilizados tanto os dispositivos fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica) como os fabricados no LSI/USP (Laboratório de Sistemas Integráveis da Universidade de São Paulo, Brasil).

Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).

Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.478437/2007-2) tem como finalidade o estudo do comportamento de dispositivos fabricados com a tecnologia SOI CMOS de múltiplas portas, variando-se a temperatura de operação de 80K a 700K.

Este projeto de pesquisa (CNPq - Produtividade em Pesquisa n.305555/2005-7) tem como finalidade o estudo de capacitores e transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 130 nm, totalmente depletado (Fully Depleted ? FD), com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K.

O projeto tem como objetivo principal realizar pesquisa e desenvolvimento em sistemas micro e nanoeletrônicos integrados inteligentes, que propiciem a realização de sistemas eletrônicos autônomos tais como redes de sensores inteligentes, sistemas embarcados e sistemas auto-ajustáveis, com várias aplicações em potencial, em particular em agricultura de precisão, no controle ambiental, em energia, na instrumentação biomédica, na indústria automotiva e aeroespacial e nas telecomunicações. Dentro desse contexto listamos os seguintes objetivos: a) Pesquisar e desenvolver sistemas em chip e sistemas de redes de sensores. b) Pesquisar e desenvolver metodologias e ferramentas de projeto e teste de circuitos integrados com baixo consumo de potência, tolerantes a falhas, incluindo circuitos analógicos, RF e digitais. c) Pesquisar e desenvolver dispositivos micro e nanoeletrônicos, fotônicos e optoeletrônicos, MEMS e NEMS e seus processos de integração e encapsulamento. d) Pesquisar materiais e técnicas de micro e nanofabricação necessários para a fabricação dos dispositivos e circuitos integrados.

Este projeto de pesquisa (CNPq - Universal, n.474129/2004-7) tem como finalidade o estudo de transistores fabricados com a tecnologia SOI CMOS de comprimento mínimo de canal de 0,13 um, totalmente depletado, com dielétrico de porta ultra-fino, variando a temperatura de operação desde 80 K até 300 K, combinando os benefícios da tecnologia SOI com os da operação em 
temperaturas criogênicas.

Este projeto tem como finalidade a caracterização elétrica de transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos ( 0,08um a 0,13um) em baixas temperaturas (80K a 300K).

Como objetivos temos realizar pesquisa e desenvolvimento em: materiais e processos para tecnologia CMOS, microssistemas e nanoeletrônica; integração de processos CMOS e de microssistemas; modelagem de dispositivos; ferramentas de CAD de projeto de CI's e de microssistemas; metodologia de projeto de CI's digitais, analógicos e de RF; projeto e metodologias de testes de dispositivos de circuitos; uma aplicação para a validação e integração das atividades do projeto.

Este projeto tem como finalidade a simulação e caracterização elétrica em função da temperatura de novos transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementados em lâminas de silício sobre isolante ( SOI MOSFET ). Entre estes novos transistores daremos especial atenção ao GC-SOI MOSFET.