Antonio Ricardo Zanatta.

Materiales semiconductores basados en óxidos metálicos, combinan propiedades como una alta transparencia óptica y conductividad eléctrica. Adicionalmente, sensores de acetona para el diagnóstico de diabetes, basados en estos mismos materiales, han sido desarrollados en los últimos años. Esto debido a la capacidad de detectar acetona en ppm en el aliento humano, con una alta sensibilidad y tiempos cortos de respuesta y recuperación. Actualmente, el desempeño de estos sensores depende de la temperatura de medida (150-400C), limitando su uso práctico en dispositivos electrónicos portátiles. En este sentido sensores a temperatura ambiente (RT) ofrecen una alternativa para este tipo de aplicaciones. Recientemente, se ha demostrado que la inclusión de algunos metales de transición y tierras raras podría mejorar su sensibilidad. Estos materiales multifuncionales exhibirían no solo una alta transparencia y conductividad, sino también luminiscencia y características magnéticas debido a su momento magnético diferente de cero, abriendo así nuevas aplicaciones.

Este Plano de Pesquisa tem por objetivo principal a implementação de novas linhas de pesquisa mediante a renovação dos recursos experimentais do Lab de Filmes Finos (IFSC-USP). Dentre as linhas de pesquisa pretendidas (algumas delas parcialmente iniciadas) merecem destaque as seguintes: (a) pesquisa básica envolvendo filmes finos dopados com íons terra-rara ou metais de transição para aplicações diversas (novos materiais luminescentes, fontes de luz branca, meios conversores de energia para células solares à base de silício cristalino); (b) investigação de materiais de bandgap grande (óxidos, nitretos, oxi-nitretos); (c) desenvolvimento de micro-cavidades ópticas baseadas em filmes dopados com íons terra-rara; (d) estudo da cinética de cristalização de filmes semicondutores amorfos induzida a partir de diferentes processos (temperatura, pressão, presença de espécies metálicas, corrente elétrica); e (e) investigação das propriedades estruturais e magnéticas de filmes finos, micro- ou nano-estruturas, à base de compostos do tipo Si (ou Ge)  metais de transição. Além de permitir a realização plena das atividades acima descritas, o auxílio financeiro aqui pleiteado visa a reposição de alguns equipamentos científicos em uso há vários anos, e a compra de insumos para o preparo de amostras.

Bolsa no Exterior (Ohio University- USA)

Número do processo FAPESP: 05/02105-8;
Vigência: 03 a 09/09/2005,
CCINT: R$ 800,00

Contra partida de auxílio pesquisa;
Valor total concedido: R$ 2.000,00;
Vigência: 29/09/2005 a 31/12/2005.

Contra partida de auxílio pesquisa;
Valor total concedido: R$ 2.700,00;
Vigência: 2004

Contra partida de auxílio pesquisa;
Valor total concedido: R$ 1.000,00;
Vigência: 2003

Contra partida de auxílio pesquisa;
Valor total concedido: R$ 3.500,00;
Vigência: 2002

Contra partida de auxílio pesquisa;
Valor total concedido: R$ 3.500,00;
Vigência: 2001

Número do Processo: 00/03603-8;
Valor Concedido R$ 54.117,25 + US$ 121.000,00;
Vigência: 01/09/2000 a 31/08/2002

Número do Processo: 98/14270-8;
Vigência: 01/10/2000 a 30/09/2005;
CEPID

Contra partida de auxilio pesquisa;
Valor total concedido: R$ 3.000,00;
Vigência: 2000

Número do processo: 1999/05165-9;
Valor total concedido: US$ 4.000,00;
Vigência: 23 a 27/08/1999

Número do Processo: 97/12177-8;
Valor total concedido: R$ 12.000,00 + US$ 32.000,00;
Vigência: 01/04/1998 a 30/09/1999

Número do Processo: 97/05413-7;
Valor Total Concedido: US$ 3.033,00;
Vigência: 25/08/1997 a 05/09/1997

Número do Processo: 96/03565-1;
Valor Total Concedido: R$ 7.900,00 + US$ 24.000,00;
Vigência: 01/08/1996 a 31/07/1997