Adélcio Marques de Souza.

Sob o Tema Conectividade Fotônica e visando contribuir para a disseminação do acesso à Internet em alta velocidade para a população brasileira, foram reunidos alguns dos mais avançados recursos humanos e laboratoriais existentes no país, coordenados por pesquisadores de larga experiência nas áreas de fotônica em banda ultra larga e alta velocidade. Neste esforço envolvendo a integração das pesquisas e facilidades laboratoriais sistêmicas da Unicamp, EESC/USP, CPQD, INATEL, UFES, UFPE, UPE, serão desenvolvidas pesquisas em Conectividade Fotônica, criando-se conhecimento e inovação, enfatizando-se a formação de recursos humanos em alto nível, registros de patentes de invenção e divulgação dos resultados em periódicos de alto impacto, visando contribuir ao esforço de construção dos alicerces em nosso país para os desafios estratégicos para a Internet futura. Especificamente, o projeto abrange vários aspectos de camada física, incluindo: planejamento e optimização de redes ópticas, transmissão e chaveamento de portadoras ópticas, processamento de sinais ópticos de e redes de acesso (neste caso englobando também técnicas de integração óptico-wireless e o fronthaul 5G/6G).

Sob o Tema Tecnologias baseadas em Circuito Integrado Fotônico (PIC) objetiva-se o desenvolvimento de novas tecnologias fotônicas para a Internet em alta velocidade, fomentando uma cultura de projeto e aplicação dos circuitos integrados fotônicos (PICs), área na qual o país ainda é carente. Para tal, atraímos alguns dos mais avançados recursos humanos e laboratoriais existentes no país, coordenados por pesquisadores de larga experiência nas áreas de comunicações ópticas coerentes com ênfase em PICs, congregando as facilidades laboratoriais sistêmicas da Unicamp, Inatel, USP-São Carlos, CTI, Unifei e UFP

Este projeto de pesquisa propõe o desenvolvimento de modelos compactos para novas gerações de transistores em estruturas MOS, nos quais a inclusão de efeitos quânticos torna-se imprescindível. O presente plano se divide em duas partes: a) na primeira parte, o projeto aborda transistores MOSFET de nanofio, sem junção (Junctionless Nanowires - JL-NWs). O objetivo é estender o modelo que desenvolvemos para nanofios de Geometria cilíndrica, em silício, conforme descrito em publicação recente na IEEE Transactions on Nanotechnology. Pretende-se generalizar o modelo para outros regimes de polarização, sistemas de materiais (em particular, compostos III-V) e geometrias (especialmente considerando a seção reta retangular). Muito importante também é a incorporação de não idealidades, tais como efeitos de canal curto (SCE), armadilhas de interface (interface traps), etc., b) na segunda parte, pretende-se empregar a experiência adquirida no desenvolvimento de modelos compactos para transistores baseados semicondutores bidimensionais, isto é, semicondutores cuja espessura é da escala atômica. Materiais bidimensionais estão bastante em voga atualmente e o exemplo mais proeminente é o grafeno, que não possui banda proibida. Por isso, para aplicações em eletrônica, são ativamente investigados materiais semelhantes, mas com base em silício, germânio ou fósforo. Outra possibilidade são os chamados TMDs (Transition Metal Dichalcogenides), dos quais o mais estudado é o dissulfeto de molibdênio, MoS2. Nesta etapa, pretendemos empregar também a longa experiência do orientador com a modelagem de transistores HEMT, também conhecidos como MODFETs, cujo canal de condução é também um sistema eletrônico bi-dimensional, e com o estudo da transição elétrica em sistemas eletrônicos 2D-3D.