Sebastiao Gomes dos Santos Filho.
Professor Titular · Engenharia de Sistemas Eletrônicos
- Unidade
- Escola Politécnica
- Departamento
- Engenharia de Sistemas Eletrônicos
Currículo atualizado em 04/07/2025
Cita-se como: Santos Filho, S. G.;dos Santos Filho, S. G.;Dos Santos Filho, S.G.;Santos, S.G.;Filho, Sebastião Gomes dos Santos;S. G. Santos;S G Santos;S. G. dos Santos Filho;S G dos Santos Filho;S. G. Dos Santos Filho;S G Dos Santos Filho;S. G. Santos Filho;S G Santos Filho;S. G. S. Filho;S G S Filho;Filho, S G DOS SANTOS;DOS SANTOS F, S G;SANTOS, S G;SANTOS FILHO, S G;DOS SANTOS FILHO, SEBASTIAO G.;Santos, Sebastiao G;DOS SANTOS, SEBASTIAO G.;DOS SANTOS FILHO, SEBASTIÃO GOMES;FILHO, S. G. DOS SANTOS;dos Santos Filho, Sebastião G.;DOS SANTOS-FILHO, S. G.;Santos FO., S. G.;SANTOS FO, S. G.;DOS SANTOS FILHO, S.;Filho, S G SANTOS;SANTOS, SG;FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS SANTOS;FILHO, SEBASTIAO G. DOS SANTOS;SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS;Dos Santos Filho, Sebastiao;GOMES DOS SANTOS FILHO, SEBASTIÃO
Resumo biográfico
Professor Titular no Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP desde 2008. Engenheiro Eletricista em 1984, Mestre em 1988, Doutor em 1996 e Livre Docente em 1999, todos pela Escola Politécnica da USP. Foi coordenador do Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica (PPGEE) da EPUSP no período 2011-2013 no qual o conceito CAPES subiu para 6. Foi vice-coordenador do PPGEE no periodo 2014-2016, Chefe Suplente do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI-EPUSP) no periodo de 10/2015 a 09/2017 e Chefe do PSI-EPUSP no periodo de 10/2017 a 09/2021. Atua nas áreas de microeletrônica e nanoeletrônica, tendo desenvolvido P&D em processos de fabricação de circuitos integrados MOS e modelagem de dispositivos MOS. Atualmente seus tópicos de maior interesse são: nano-sensores, nano-sistemas, sensores químicos, P&D em processos de limpeza química de lâminas de silício, dielétricos ultra-finos de porta MOS, deposição eletroquímica de metais e técnicas de caracterização de superfícies,interfaces e nanoestruturas. É autor/co-autor de mais de 250 artigos publicados em congressos e revistas técnicas nacionais e internacionais.
Indicadores
Áreas de atuação
05 registros- EngenhariasEngenharia ElétricaMateriais Elétricos
- EngenhariasEngenharia ElétricaMateriais Elétricos › Materiais e Componentes Semicondutores
- EngenhariasEngenharia ElétricaMateriais Elétricos › Materiais Condutores
- EngenhariasEngenharia ElétricaCélulas Solares MOS
- EngenhariasEngenharia ElétricaSensores Químicos
Formação acadêmica
05 registros- 1989 – 1996DoutoradoConcluídoEngenharia Elétrica · Universidade de São Paulo“Oxidação Térmica Rápida do Silicio: Influência dos Procedimentos de Limpeza e dos Perfis Temporais de Temperatura na Qualidade dos Óxidos de Porta MOS”Orientação: Claus M Hasenack
- 1985 – 1988MestradoConcluídoEngenharia Elétrica · Universidade de São Paulo“APLICACAO DE FILMES DE SILICETO DE TITANIO E DO ESCOAMENTO TERMICO RAPIDO DE CAMADAS DE PSG NA FABRICACAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS NMOS”Orientação: JACOBUS WILLIBRORDUS SWART
- 1980 – 1984GraduaçãoConcluídoEngenharia Elétrica Sp Capital · Universidade de São Paulo
- 1977 – 1979Curso-tecnico-profissionalizanteConcluídoCurso Técnico em Eletrônica · Colégio Liceu Coração de Jesus
- Livre-docênciaConcluídoLivre-docência · Universidade de São Paulo
Idiomas
03 registros| Idioma | Leitura | Fala | Escrita | Compreensão |
|---|---|---|---|---|
| Inglês | Bem | Bem | Bem | — |
| Espanhol | Pouco | Razoável | Pouco | — |
| Francês | Pouco | Razoável | Razoável | — |
Atuação profissional
05 registros- 2022 – presenteVínculo atualUniversidade Estadual de Campinas
- 2012 – presenteVínculo atualCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorRevisor de projeto de fomento
- 2008 – presenteVínculo atualDedicação exclusivaUniversidade de São PauloProfessor Titular
- 2007 – presenteVínculo atualFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São PauloRevisor de projeto de fomento
- 1997 – presenteVínculo atualConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e TecnológicoRevisor de projeto de fomento
Produção bibliográfica
288 registros- 2024Optical properties of extended inverted pyramids arrays for enhanced light absorption in silicon solar cells simulated with Comsol MultiphysicsDE CARVALHO, MARCEL CASTILHO BATISTA; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2024 38th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · IEEE · ISBN 9798331540630 · Joao Pessoa
- 2024Reversible Memory Operation of Al/TeO <sub>2</sub> -ZnO-Au/ TeO <sub>2</sub> -ZnO/p-Si MIS StructuresGARCIA, JOSÉ AUGUSTO MARTINS; Bontempo, Leonardo; KUMADA, DANIEL KEIJ; KASSAB, LUCIANA REYES PIRES; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2024 38th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9798331540630 · Joao Pessoa
- 2023Low-Cost Ultraviolet Radiation Sensor Using Epoxy-Resin Optical Filters Over MOS PhotodiodesNOGUEIRA SANTOS, FERNANDO L.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho; MARTINO, JOÃO ANTONIO · 2023 37th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9798350319453 · Rio de Janeiro
- 2022X-ray detection using MOS and PIN diodes biased in the constant reverse current or voltage modesDA CONCEICAO, MARCELO L.; WATANABE, MARCOS N.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2022 6th International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers (INSCIT) · IEEE · ISBN 9781665471688 · Porto Alegre
- 2021Anti-reflection glass coverslips for indoor MOS photovoltaic cellsLOUZADA, GABRIEL O.; WATANABE, MARCOS N.; RANGEL, RICARDO C.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2021 35th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781665419826 · Campinas
- 2021Modeling Positively Charged SiO Coatings for MOS solar CellsSHIGA, WILLIAM TSUYOSHI; WATANABE, MARCOS N.; Ricardo Cardoso Rangel; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · SEMINATEC 2021 - XV Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Tecnhology · USP · ISBN 9786500251166 · São Paulo
- 2021Characterization of Glass Coverslips as Anti-Reflective Layers for MOS Solar CellsLOUZADA, GABRIEL OLIVEIRA; WATANABE, MARCOS N.; RANGEL, RICARDO CARDOSO; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · SEMINATEC 2021 - XV Workshop on Semiconductors and Micro and Nano Tecnhology · USP · ISBN 9786500251166 · São Paulo
- 2019Temperature Control of Hydrogen Gas Sensors Using a Programmable System on ChipVENUTO, EDELSON S. P.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2019 4th International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers (INSCIT) · ISBN 9781728121093 · Sao Paulo
- 2019Bifacial Tandem Solar Panels with MOS Cells on the Backside for Applications in DesertsSANTOS, FERNANDO L. N.; WATANABE, MARCOS N.; JUNIOR, WILLIAM CHIAPPIM; Sebastiao Gomes dos Santos Filho; MARTINO, JOAO A. · 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781728119090 · Sao Paulo
- 2019MOS solar cells for indoor LED energy harvesting: influence of the grating geometry and the thickness of the gate dielectricsWATANABE, MARCOS N.; CHIAPPIM, WILLIAM; CHRISTIANO, VERONICA; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781728119090 · Sao Paulo
- 2019Electrical properties of MPS/PANI heterojunction doped with erbiumTOLEDO, ROSIMARA P.; HUANCA, DANILO R.; OLIVEIRA, ADHIMAR F.; RUBINGER, RERO M.; SILVA, MATHEUS J.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781728119090 · Sao Paulo
- 2018Fabrication and Electrical Characterization of MOS Solar Cells for Energy HarvestingWATANABE, MARCOS NORIO; JUNIOR, WILLIAM CHIAPPIM; CHRISTIANO, VERONICA; IZUMI, FABIO; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781538683910 · Bento Gonçalves
- 2018Characterization by GISAXS and Electrochemical Impedance Spectroscopy of porous oxide filmsHUANCA, DANILO R.; VERDONCK, PATRICK B.; DIAS, CARLOS E. S.; LIMA, LUCAS P. B.; VAN ELSHOCHT, SVEN; Sebastiao Gomes dos Santos Filho +1 autores · 2018 33rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781538683910 · Bento Gonçalves
- 2018Ionization Current Detection for Homogeneous Charge Compression Ignition (HCCI) on Dual Mode Engines Using a Compact Flyback CircuitVENUTO, E.S.P.; LAGANA, A.A.M.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2018 3rd International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers (INSCIT) · IEEE · ISBN 9781538672983 · Bento Gonçalves
- 2018ELECTROSPINNING PAN/PdCl2 NANOFIBER FOR HIDROGEN STORAGE ? THE INFLUENCE OF THE PREPARATION METHODAna Neilde Rodrigues da Silva; Maria Lúcia Pereira da Silva; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · XI Ibero-American Congress of sensors - IBERSENSOR 2018 · Barcelona
- 2018Proposal of a monitoring circuit for tandem solar cellsFernando Lucas Nogueira Santos; Sebastiao Gomes dos Santos Filho; João Antonio Martinio · SEMINATEC 2018 - XIII Workshop on Semiconductors and Micro&Nano Technology · Centro Universitário da FEI · ISBN 9788598123127 · São Bernardo do Campo
- 2017Reactor design for thermal decomposition of hydrocarbons and tar by means of silicon carbide as microwave absorberMOREIRA, L. H. HIGA; MOREIRA, R. G.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · IEEE · ISBN 9781538628775 · Fortaleza
- 2017Fabrication and characterization of an ion mobility spectrometer device for volatile organic compounds detectionMOREIRA, R. G.; MOREIRA, L. H. HIGA; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · IEEE · ISBN 9781538628775 · Fortaleza
- 2017Porous silicon films passivated with graphene aiming at non circular supercapacitorsCARVALHO, M. C. B.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2017 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · IEEE · ISBN 9781538628775 · Fortaleza
- 2017Influence of electrode distance on porous silicon supercapacitor internal resistanceMarcel Castilho Batista Carvalho; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology · ISBN 97885866862 · São Paulo
- 2017Modelling of MOS devices for solar energy harvestingFábio Izumi; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology · ISBN 97885866862 · São Paulo
- 2017XRR, GISAXS and SEM Characterization of Low-k Porous Carbon Doped Silicon Dioxide Thin FilmDanilo Roque Huanca; P Toledo; C. E. S. Dias; Sebastiao Gomes dos Santos Filho; VERDONCK, P. · Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology · ISBN 97885866862 · São Paulo
- 2016Chemically modified platinum screen-printed electrodes for electrochemical detection of acetyleneFábio Izumi; DE SOUZA, C. A. A.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho; GONGORA-RUBIO, M. R. · 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · ISBN 9781509027880 · Belo Horizonte
- 2016Reversible memory phenomena in TeO5-ZnO films with Au nanoparticlesLeonardo Bontempo; Luciana Reyes Kassab; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · XV Brazilian MRS Meeting · MRS - Brazilian Materials Research Society · Campinas
- 2015Carbon dioxide sensing at near infrared using zeolitic imidazolate framework-8 (ZIF-8) absorbersVOLPONI, A.; Sebastiao Gomes dos Santos Filho · 2015 30th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) · IEEE · ISBN 9781467371636 · Salvador
Produção técnica
13 registros- 1999Instalação de um equipamento de microscopia de força atômicaSebastiao Gomes dos Santos Filho · instalação de equipamento de medida de rugosidades em superfícies
Projetos de extensão
01 registroProjetos de extensão universitária registrados no Currículo Lattes — a categoria de produção acadêmica própria, ao lado das produções bibliográfica, técnica e artística.
- Em andamento2016 – presenteExtensão
Projeto de cooperação acadêmica entre o Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza e a Universidade de São Paulo
cooperação acadêmica entre o CEETEPS e a USP-EPUSP-LSI para a realização do segundo ano do projeto que envolve a pesquisa, o desenvolvimento e o aprimoramento dos conteúdos programáticos de disciplinas e a formulação de conjuntos didáticos relacionados com os respectivos cursos superiores de Tecnologia em Microeletrônica ministrado pela FATEC-SP e de tecnologia em Eletrônica Automotiva ministrado pela FATEC-Santo André, e o prosseguimento da utilização pelos alunos do CEETEPS das Salas Limpas do Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI-EPUSP) e dos demais laboratórios das Engenharias Eletrônicas da USP-EPUSP, em conformidade com o aditamento ao plano de trabalho.
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), Armando Antonio Maria Laganá, Nilton Itiro Morimoto
Projetos
15 registrosProjetos de pesquisa e de desenvolvimento tecnológico registrados no Currículo Lattes.
- Em andamento2022 – presentePesquisa
INCT - Nano e Microeletrônica para tecnologias habilitadoras NAMITEC
O INCT NAMITEC é uma rede ampla de colaboração que objetiva pesquisa, desenvolvimento, inovação, formação de recursos humanos e divulgação de ciência no tema de Micro e Nanofabricação para as tecnologias habilitadoras, incluindo Inteligência Artificial, Internet das Coisas, Materiais Avançados, Biotecnologia e Nanotecnologia. Essa rede foi construída e fortalecida com o apoio de projetos INCT anteriores que tiveram aportes financeiro de 2001 a 2016. Posteriormente, no último edital INCT, a rede NAMITEC foi contemplada com o selo de excelência INCT. O projeto atual tem o foco em materiais, processos, novos dispositivos semicondutores ecircuitos de interface e aplicações de IoT, entre outras. Inclui-se aplicações para o controle ambiental, qualidade do solo, de águas, do ar, detecção de gases, biomedicina e agropecuária, temas que estão na vanguarda da evolução tecnológica mundial e são cruciais para a inovação em vários setores da economia. Os dispositivos e sensores a serem pesquisados e desenvolvidos incluem FinFET, BioFET, ISFET, FET de grafeno, QuBit e fotônica integrada, incluindo dispositivos de carbeto de silício, necessários para a indústria automobilística, e novas células solares TANDEN com eficiência superior. A proposta inclui uma considerável interação com o setor industrial, como empresas de encapsulamento eletrônico (SMART, HTMicron), design house (Chipus, von Braun), fotovoltaica (BYD), equipamentos derede elétrica (Treetech), tratamento de águas e efluentes (Digimed), pecuária (Embrapa), equipamentos s (Toth,Novetech), entre outras. Inclui também uma forte colaboração internacional com centros avançados como IMEC, CEA/LETI e NXP Semiconductors, entre vários outros, totalizando 37 colaboradores do exterior. O INCT NAMITEC contribuirá significativamente para o desenvolvimento do setor industrial de tecnologia avançada, tornando o país mais competitivo, independente e avançado.Associados: CTI, FEI, Toth Tecnologia, UEM, UFBA, UFCG, UFPB, UFPEL, UFPR, UFRGS/DEE, UFRGS/IF, UFRGS/IQ, UFRN, UFS, UFSC, UNESP, UNICAMP/FEEC, UNICAMP/IFGW, UNICAMP/CCSNano, UNICAMP/FEQ, UNIPAMPA, UNISINOS, USP/EP.
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho, Nilton Itiro Morimoto, Ronaldo Domingues Manzano, Jacobus W. Swart (Responsável), Eliphas Wagner Simões
- Concluído2020 – 2021Pesquisa
MÁSCARA INTELIGENTE PARA PACIENTES COM QUADRO CLÍNICO INICIAL DA DOENÇA COVID-19
O projeto destina-se aos pacientes com o quadro clínico inicial da doença infeciosa causada pelo Coronavírus (SARS-CoV-2), ou simplesmente COVID-19 (Coronavirus Disease 2019) e tem como escopo a fabricação de máscaras de baixo custo com dupla camada polipropileno flexível como barreira facial obtida por processo de moldagem. No corpo da barreira facial foi instalado um acesso de entrada para a passagem de ar (1l/min ? 30l/min) filtrado ou para nebulização de soro fisiológico com ou sem fluidos medicamentosos. O objetivo é o de facilitar a respiração ou promover inalação controlada pelo paciente. Através do controle da corrente elétrica aplicado em elemento resistivo instalado junto com válvula de expiração de saída, a temperatura do fluxo expirado pelo paciente será controlada na faixa de 25oC a 40oC a fim de impedir a propagação do vírus COVID-19 através de secreções, gotículas e saliva para o meio exterior e, também, na válvula de saída foi instalado um filtro respiratório para não permitir a saída de aerossóis. Além do controle do ar expelido, foram testados opções de filtros nanoestruturados capazes de matar o vírus COVID-19.
Financiadores- Fundo Patrimonial Amigos da Poli · OUTRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), Eliphas Wagner Simões, FRANCISCO GARCIA SORIANO, Ramon Andrade Sousa Carvalho, Julio Cesar dos Santos
- Concluído2017 – 2019Pesquisa
Fabricação de Células Solares MOS Utilizando Estruturas Al/TiO2/SiO2/Si
O desenvolvimento de células solares de baixo custo e alta eficiência terá grande aplicação como fonte de energia distribuída, principalmente para fornecimento de energia em lugares isolados e distantes da rede elétrica com as vantagens de não consumir combustível fóssil, não produzir poluição nem contaminação ambiental, ter longa vida útil, ser resistente às condições climáticas extremas, não ter peças móveis exigindo pouca manutenção e por permitir o aumento da potência instalada por meio da incorporação de módulos adicionais. Para isso, a tecnologia de células solares deve sobressair-se em três áreas principais: redução do custo, aumento da eficiência e durabilidade. Neste contexto as células solares do tipo MOS vêm recebendo atenção devido à simplicidade de montagem e seus baixos custos. O presente projeto visa à fabricação, otimização e caracterização de células solares tipo MOS empregando uma estrutura alternativa do tipo Al/TiO2/SiO2/Si. Para isso serão realizados os estudos teóricos e experimentais sobre as estruturas Al/TiO2/SiO2 em substratos de silício com áreas extensas (4cm x 4cm), já próximas das dimensões comerciais e, também, serão fabricados protótipos de células solares tipo MOS as quais serão caracterizadas quanto a sua eficiência utilizando equipamento de medida CxV e IxV e simulador solar comercial. As etapas de desenvolvimento incluem o levantamento dos parâmetros fotovoltaicos (corrente de fundo, corrente de curto circuito, tensão em circuito aberto, fator de preenchimento e eficiência) para diversas condições de geometria e processamento visando à otimização e obtenção das melhores condições de fabricação de células solares tipo MOS com área de até 80cm2 sobre lâminas de silício de 4 polegadas de diâmetro.
Financiadores- Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo · BOLSA
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), William Chiappim Júnior
- Concluído2011 – 2016Pesquisa
Pesquisa e Desenvolvimento de Células Solares MOS Utilizando Processamento Térmico Rápido (RTP)
Este projeto visa a fabricação e caracterização de células solares tipo MOS de alta eficiência empregando Processamento Térmico Rápido (RTP) do silício. Inicialmente, serão realizados estudos preliminares sobre o crescimento de filmes de óxido e oxinitreto de silício por processamento térmico rápido em substratos de silício circulares e quadrados com áreas extensas de até 80cm2, próximas das dimensões comerciais. Na seqüência, serão fabricadas células solares tipo MOS as quais serão caracterizadas quanto a sua eficiência utilizando equipamentos de medida CxV e IxV e simulador solar comercial. A estratégia de ação terá como foco a fabricação de células solares de alta eficiência através de atividades coordenadas num periodo de 2 anos de forma a incluir revisão bibliográfica, estudo do crescimento de filmes de óxidos e nitretos de silício utilizando a técnica de processamento térmico rápido, e caracterização elétrica das células solares com a ajuda de simulador solar comercial. Os resultados e impactos esperados são: (i) fabricação de protótipo de célula solar de alta eficiência em substratos de áreas extensas de até 80cm2; (ii) processos térmicos rápidos de baixo custo para obtenção de células solares de alto desempenho; (iii) formação de recursos humanos (2 dissertações de mestrado) na área de células solares do tipo MOS; (iv) incremento da capacidade laboratorial do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP (PSI/EPUSP) visando produção de prótipos de células solares de alta eficiência e (v) publicação de 2 artigos completos em revista periódicas internacionais.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), Verônica Christiano, Fábio Izumi, Bárbara Siano, Danilo Roque Huanca
- Em andamento2010 – 2012Pesquisa
Fabricação de Sensores com Ligas Nanoestruturadas para Detecção de Hidrogênio
Este projeto visa a fabricação e caracterização de sensores de hidrogênio empregando ligas nanoestruturadas obtidas por co-sputtering ou deposição eletroquímica de Pd e Cu. Inicialmente, serão realizados estudos preliminares sobre o crescimento de filmes de Pd e ligas nanoestruturadas Pd-Cu por co-sputtering ou por processo eletroquímico utilizando aditivos para promoção de molhabilidade e ativação de superfícies de silício. Na seqüência, serão fabricados quimioresistores de Pd e de ligas Pd-Cu os quais serão caracterizados quanto a sua sensibilidade ao hidrogênio em concentrações na faixa de 10 a 10000 ppm. A estratégia de ação terá como foco a fabricação de quimioresistores de Pd ou de ligas nanoestruturadas Pd-Cu através de atividades coordenadas num periodo de 2 anos de forma a incluir revisão bibliográfica, estudo do crescimento de filmes de paládio e de ligas nanoestruturadas Pd-Cu otidas por co-sputtering ou depositados eletroquimicamente, e caracterização elétrica dos quimioresistores para detecção de hidrogênio. Os resultados e impactos esperados são: (i) fabricação de protótipo de quimioresistor para detecção de hidrogênio; (ii) processos de baixo custo para obtenção de ligas nanoestruturadas; (iii) formação de recursos humanos (2 dissertaçôes de mestrado); (iv) publicação de 2 artigos completos em revista periódicas internacionais e (v) depósito de patente sobre quimioresistor para detecção de hidrogênio.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), Ronaldo W Reis, Nair Stem
- Concluído2009 – 2011Pesquisa
Sensores químicos para o monitoramento de qualidade do óleo isolante mineral utilizado em buchas e transformadores de alta tensão
Os especialistas estimam que o mercado mundial de sensores deverá atingir 61,5 bilhões de dólares pelo ano de 2010 sendo que mercado de sensores químicos recente no ano de 2007 é de cerca de 11,5 bilhões de dólares e representa o maior segmento do mercado mundial de sensores. Os tipos mais comuns são os sensores destinados à detecção oxigênio, NOx, poluição ambiental, hidrocarbonetos, condicionamento de óleo e de material particulado. Portanto, a diversidade das aplicações desse tipo de sensor oferece o crédito necessário para maiores investimentos em seu desenvolvimento tecnológico e de aplicação. No presente projeto vamos desenvolver e fabricar sensores químicos para monitorar a qualidade do óleo isolante mineral utilizado em buchas e transformadores de alta tensão. A seqüência de eventos associada à degradação do funcionamento de tranformadores de alta tensão corresponde à deterioração da característica dielétrica do óleo mineral desencadeada pelo aparecimento de gases dissolvidos começando pelo hidrogênio (H2) em temperatura a partir de 250oC seguido pelo aparecimento de monóxido de carbono, (CO), metano (CH4), etano (C2H6), etileno (C2H4) e, finalmente, culminando no aparecimento de acetileno (C2H2) durante a iminência da falha fatal em temperaturas a partir 1000oC. Especificamente, no projeto em apreço, serão fabricados sensores para monitorar o processo de falha desde o estágio inicial até a iminência da falha fatal através da detecção de hidrogênio, acetileno e hidrocarbonetos/monóxido de carbono (C2H6, C2H4 e CO) conforme especificado pela empresa Treetech. O desenvolvimento desse conjunto de sensores representa um grande desafio no âmbito do presente projeto tendo em vista que não existe monitoramento in-situ local de todos os possíveis gases em óleo mineral. Quando se quer um laudo dos gases mencionados, é sempre necessário recolher amostras para realizar análises, na maioria das vezes onerosas, baseadas em cromatografia gasosa.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), Nilton Itiro Morimoto, Adir Moreira
- Concluído2009 – 2014Pesquisa
INCT NAMITEC Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos
. INCT NAMITEC Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Sistemas Micro e Nanoeletrônicos Programa de Institutos Nacionais de Ciência e Tecnologia do MCT: CNPq processo no. 573738/2008-4, Período: 2009 a 2014 e FAPESP processo no. 2008/57862-6 Período: 2009 a 2014. Coordenador Geral: Jacobus W. Swart. Coordenador Local: Sebastião Gomes dos Santos Filho. Trata-se de um projeto em rede temática que reúne 22 instituições ao redor do País.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho, Nilton Itiro Morimoto, José Alexandre Diniz, Mário Gongora Rubio, Jacobus W. Swart (Responsável)
- Concluído2009 – 2013Pesquisa
PROJETO, FABRICAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE TRANSISTORES SOI FINFET
Este projeto tem como finalidade o projeto, fabricação e caracterização elétrica de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, de canal vertical, chamado de FinFET. Os FinFETs são as estruturas mais promissoras para as próximas gerações da tecnologia de fabricação de circuitos integrados CMOS. 	Para atingir estes objetivos está sendo proposta uma rede temática composta pela Escola Politécnica da USP (São Paulo), Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP (Campinas) e pelo Centro Universitário da FEI (São Bernardo do Campo). As etapas de projeto e fabricação estarão a cargo da USP e UNICAMP enquanto a etapa de caracterização elétrica terá também a participação da FEI. Os novos FinFETs a serem projetados e fabricados no Brasil (USP/UNICAMP) neste projeto têm como base a versão desenvolvida no projeto NAMITEC (CNPq - Instituto do Milênio - processo n. 420031/2005-7). Na etapa de caracterização elétrica serão utilizados tanto os dispositivos FinFETs fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, Bélgica) como os fabricados na USP/UNICAMP. Serão analisados, tanto os resultados obtidos experimentalmente como os por simulação tridimensional, os principais parâmetros elétricos dos FinFETs para aplicações em circuitos digitais e analógicos, tais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância, relação transcondutância-corrente de dreno, tensão de Early e ganho de tensão intrínseco. Estes parâmetros serão estudados não só em temperatura ambiente como também na faixa de 80K a 730K, para aplicação aeroespacial.
Financiadores- Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho, Antonio Carlos Seabra, João Antonio Martino (Responsável), José Alexandre Diniz, Marcelo Antonio Pavanello
- Concluído2008 – 2014Desenvolvimento
Sistema de monitoramento em tempo real do isolamento de buchas de alta tensão
Neste projeto vamos desenvolver e fabricar sensores de hidrogênio para monitorar a qualidade do óleo isolante mineral utilizado em buchas e transformadores de alta tensão. A seqüência de eventos associada à degradação do funcionamento de tranformadores de alta tensão corresponde à deterioração da característica dielétrica do óleo mineral desencadeada pelo aparecimento de gases dissolvidos começando pelo hidrogênio (H2) em temperatura a partir de 250oC seguido pelo aparecimento de monóxido de carbono, (CO), metano (CH4), etano (C2H6), etileno (C2H4) e, finalmente, culminando no aparecimento de acetileno (C2H2) durante a iminência da falha fatal em temperaturas a partir 1000oC. Especificamente, serão fabricados sensores para monitorar o processo de falha no estágio inicial através da detecção de hidrogênio. Além disso, vamos aperfeiçoar o monitor on-line de buchas de alta tensão (138kV - 750 kV) já existente para a execução de funções inteligentes de detecção e diagnóstico preditivo de falhas em buchas de transformadores , disjuntores, divisores capacitivos de potencial e em transformadores de corrente. Também, vamos desenvolver hardware e software dedicado com base em recursos de inteligência computacional voltado para detecção e predição de falhas em buchas de transformadores , disjuntores divisores capacitivos de potencial - DCP e transformadores de corrente visando incrementar a eficiência na aplicação dos recursos de manutenção. Historicamente, as buchas tem sido um dos principais pontos de falha em transformadores de potência, fato revelado por um levantamento internacional do CIGRE com dados de mais de 1000 falhas de transformadores. Essa pesquisa revelou que 12,3% dos desligamentos estavam associados às buchas. Devido aos níveis de tensão envolvidos (de 138kV a 750 kV), alguns tipos de falhas em buchas são potencialmente destrutivas, o que pode redundar num prejuízo na casa de milhões de reais, desligamento de parte do sistema elétrico interligado - os ch
Financiadores- Financiadora de Estudos e Projetos · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável)
- Concluído2008 – 2013Pesquisa
Apoio na fabricação de sensores químicos para o monitoramento de qualidade do óleo isolante mineral utilizado em buchas e transformadores de alta tensão
No presente projeto vamos desenvolver e fabricar sensores químicos para monitorar a qualidade do óleo isolante mineral utilizado em buchas e transformadores de alta tensão. A seqüência de eventos associada à degradação do funcionamento de tranformadores de alta tensão corresponde à deterioração da característica dielétrica do óleo mineral desencadeada pelo aparecimento de gases dissolvidos começando pelo hidrogênio (H2) em temperatura a partir de 250oC seguido pelo aparecimento de monóxido de carbono, (CO), metano (CH4), etano (C2H6), etileno (C2H4) e, finalmente, culminando no aparecimento de acetileno (C2H2) durante a iminência da falha fatal em temperaturas a partir 1000oC. Especificamente, no projeto em apreço, serão fabricados sensores para monitorar o processo de falha desde o estágio inicial até a iminência da falha fatal através da detecção de hidrogênio, acetileno e hidrocarbonetos/monóxido de carbono (C2H6, C2H4 e CO). O desenvolvimento desse conjunto de sensores representa um grande desafio no âmbito do presente projeto tendo em vista que não existe monitoramento in-situ local de todos os possíveis gases em óleo mineral. Quando se quer um laudo dos gases mencionados, é sempre necessário recolher amostras para realizar análises, na maioria das vezes onerosas, baseadas em cromatografia gasosa. 	No projeto em apreço, pretendemos ter apoio de um técnico de nível médio e outro de nível superior. O técnico de nível médio irá especificamente apoiar o desenvolvimento de um sensor de gás hidrogênio dissolvido em óleo mineral utilizado em buchas e transformadores elétricos para monitoração do estágio inicial de deterioração do óleo isolante. O técnico de nível superior irá desenvolver uma montagem experimental para dissolução de acetileno em óleo mineral em diversas concentrações na faixa de 10 a 20000 ppm para caracterização da capacidade de detecção de acetileno. Por outro lado, é importante destacar que está em andamento o projeto "Sistema de monitorament
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · BOLSA
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável)
- Concluído2005 – 2009Pesquisa
Projeto: Institutos do Milênio - TECnologias de MIcro e NAnoeletrônica para sistemas integrados inteligentes -NAMITEC.
Projeto: Institutos do Milênio - TECnologias de MIcro e NAnoeletrônica para sistemas integrados inteligentes -NAMITEC. - Orgão financiador: CNPq - Coordenador: Prof. Dr. J. W. Swart - UNICAMP. - Vigência: 11/2005 - 10/2007 - Valor Total: R$ 3.000.000,00 - Descrição: Participam 14 laboratórios de 9 universidades, sendo um deles o LSI-EPUSP. No LSI-EPUSP, o prof.S. G. dos Santos Filho juntamente com o grupo da UNICAMP é responsável pela atividade sobre fabricação e caracterização de nano-fios metálicos para deteção de espécies gasosas, obtenção de dielétricos ultra-finos para portas MOS e construção e caracterização de transistores tipo FinFET. Apoio na especificação e compra de um equipamento FEG-SEM para o LSI-EPUSP.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho, J W Swart (Responsável), N I Morimoto, José Alexandre Diniz, Mário Ricardo Gongora Rubio
- Em andamento2001 – 2005Pesquisa
Projeto: Institutos do Milênio - Rede de Pesquisa em Sistema em Chip, Microssistemas e Nanoeletrônica.
Projeto: Institutos do Milênio - Rede de Pesquisa em Sistema em Chip, Microssistemas e Nanoeletrônica. - Orgão financiador: CNPq - Coordenador: Prof. Dr. J. W. Swart - UNICAMP. - Vigência: 11/2001 - 10/2005 - Valor Total: R$ 4.378.930,93 - Descrição: Participam 10 laboratórios de 7 universidades, sendo um deles o LSI-EPUSP. No LSI-EPUSP, o Prof. S. G. dos Santos Filho juntamente com o grupo da UNICAMP era responsável pela atividade Interconexões e contatos para CIs, Parte do financiamento foi utilizado para a compra de material de consumo no âmbito desta atividade.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · COOPERACAO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho, J W Swart (Responsável), N I Morimoto
- Concluído1998 – 2000Pesquisa
Eletrodeposição em silício aplicada a sensores
Os objetivos do projeto foram: a) construção de um protótipo de um sensor de temperatura utilizando liga Cu/constantan; b) estuddos básicos de eletrodeposição, nucleação, crescimento, rugosidade e desempenho elétrico das camadas Cu/constantan.
Financiadores- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho, André Avelino Pasa (Responsável)
- Concluído1997 – 1997Pesquisa
Conserto de um equipamento para análise de fluorescência induzida por raios X na condição de reflexão total (TXRF)
Os objetivos do projeto foram: a) conserto de um equipamento para análise de fluorescência induzida por raios X na condição de reflexão total (TXRF). b) compra e instalação de um sistema individual de circulação de água para o equipamento TXRF (XSA8000)
Financiadores- Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável)
- Concluído1997 – 1999Pesquisa
Microscopia de força atômica aplicada ao estudo da deposição eletroquímica de filmes finos de Cu, Co e Ni sobre silício
Os principais objetivos do projeto foram: a) Aquisição de um microscópio SPM, NANOSCOPE E, com cabeçote AFM e implementação da técnica no LSI/EPUSP. b) Aplicação da técnica AFM ao estudo e desenvolvimento do processo de eletrodeposição de filmes finos de Cu, de ni, de Co e de ligas Co e de Ni sobre silício monocristalino.
Financiadores- Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo · AUXILIO_FINANCEIRO
EquipeSebastiao Gomes dos Santos Filho (Responsável), André Avelino Pasa
Orientações
- Mestrado
desde 2022William Tsuyoshi Shiga · Orientaçãoes Obtenção e caracterização de camadas depositadas de SiO com propriedades antirefletoras e de armazenamento de cargas positivas para células solares MOS tipo inversão · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloEm andamento - Mestrado
desde 2021RAMON ANDRADE SOUSA CARVALHO · OrientaçãoImplementação de Amplificador Lock-in Digital em SoC Programável para a Detecção de Pequenos Sinais Enterrados em Ruído de Fotodiodos · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloEm andamento - Mestrado
desde 2021Gabriel Oliveira Louzada · OrientaçãoCoberturas de PANI/PMMA em células solares para conversão descendente de energia da luz (downconversion) · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloEm andamento - Doutorado
desde 2020Marcos Norio Watanabe · OrientaçãoFabricação e caracterização de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício crescidos a 850ºC em substratos esfoliados · Engenharia Elétrica · Universidade de São Paulo · Bolsa Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorEm andamento - Doutorado
desde 2020Marcel Castilho Batista de Carvalho · OrientaçãoFabricação e caracterização de células solares MOS de silício poroso com oxinitretos de silício crescidos a 850ºC · Engenharia Elétrica · Universidade de São Paulo · Bolsa Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorEm andamento - Pós-doutorado
desde 2020Fábio Izumi · Orientação· Universidade de São PauloEm andamento - Pós-doutorado
desde 2017Verônica Christiano · Orientação· Universidade de São PauloEm andamento
Bancas julgadoras
101 registros- 2017Verônica ChristianoFabricação de células solares MOS utilizando oxinitretos de silício obtidos por processamento térmico rápido (RTP) · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, João Antonio Martinio, Roberto Ohmori, Nair Stem, José Alexandre DinizDoutorado
- 2017Giorgio Ernesto TestoniDeposição de nanolaminados de TiO2-Al2O3 pela técnica de deposição por camada atômica: estudo do processo e das características do material · Física · Instituto Tecnológico de AeronáuticaBanca: Homero Santiago Maciel, Rodrigo Sávio Pessoa, Douglas Marcel Gonçalves Leite, Bruno Vinícius Manzolli Rodrigues, Sebastiao Gomes dos Santos FilhoDoutorado
- 2016Bárbara Siano AlandiaFabricação e caracterização experimental de diodos túnel MOS Al/SiOxNy/Si(p) e TiN/SiOxNy/Si(p) · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, João Antonio Martino, Aparecido Sirlei NicolletMestrado
- 2016As Técnicas da Termoluminescência e Luminescência Opticamente Estimulada Aplicada à Datação de Sedimentos e Cerâmicas Arqueologicas· Universidade Federal de São PauloBanca: nildo Alves Batista, Oswaldo Baffa Filho, Ana Regina Blak, Keizo Yukimitsu, Regina Célia Spadari, Sebastiao Gomes dos Santos FilhoLivre-docência
- 2014Raphael Garcia MoreiraSensoriamento de misturas de H2, Ch4 e CO por meio de uma matriz de quimioresistores · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, Mauricio K Oka, Ronaldo W ReisMestrado
- 2014Fernando Luis de AlmeidaMicroeletrodos de medição Au-Plm-Cu(II) e eletrodos de referência em estado sólido Au/AuxCly/PPi-Cl-/PU: sensor voltamétrico integrado sobre um substrato planar de silício e modificado com polímeros condutores para medição em meio fisiológico do nitrito e avaliação dos interferente · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, Fernando Josepetti Fonseca, Idágene Aparecida Cestari, Thiago Regis Longo Cesar da Paixão, Juliana Lopes CardosoDoutorado
- 2013Fernando Trevisan Saez Parra"Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, Cesareo de La Rosa Siqueira, Eliphas Wagner Simões, Salvador Pinillos Gimenez, Ronaldo Willian ReisDoutorado
- 2013Professor Titulllar junto ao Depto de Física Aplicada - Edital IF 74/12· Universidade de São PauloBanca: Antonio José da Costa Filho, Carlos Frederico de Oliveira Graelf, Fernando Galembeck, Sebastiao Gomes dos Santos Filho, Fernando Oliveira NavarraProfessor titular
- 2013Área de Física experimental: Disppositivos - Dispositivos Opto-eletrônicos, biosensores, controle e autormação, instrumentação, biomecânica, nanomecânica, metrologia, nanodispositivos, energias alternativas, dispositivos eletro-eletrônicas e outras sub-áreas· Universidade Federal de São CarlosBanca: Victor Lopez Richard, IIgnez Caracelli, Daniel Lorscheitter Baptista, Newton Cesario Frateschi, Sebastiao Gomes dos Santos FilhoConcurso público
- 2012Marcio Dalla Valle MartinoEstudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, Antonio Luís Pacheco Rotondaro, Fernando Josepetti FonsecaMestrado
- 2012Verônica ChristianoCaracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sebastiao Gomes dos Santos Filho, Inés Pereyra, José Alexandre DinizDoutorado
- 2011Juliana Lopes CardosoObtenção de Ligas AuxSny utilizando deposição eletroquímica · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: André Avelino Pasa, José Mário Carneiro Vilela, Mário Gongora Rubio, Roberto OhmoriDoutorado
- 2010Jorge Giroldo JúniorInfluência das Dimensões Geométricas no Comportamento da Corrente de Fuga em Dispositivos SOI nMOSFETs de Múltiplas Portas em Altas Temperaturas · Engenharia Elétrica · FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROSBanca: Marcelo Bellodi, Milene GaletiMestrado
- 2010Kátia Alessandra GonçalvesSíntese e Caracterização de Alumina Nanoestruturada codopada com érbio e itérbio para dosimetria · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sonia Hatsue Tatumi, Linda Viola Ehllin CaldasMestrado
- 2010Elcio Liberato PiresSíntese e caracterização de elemento senor de matriz KAlSi3O8, dopadas com Mn ou Gd, obtidas pela técnica sol-gel, visando a aplicação em dosimetria das radiações ionizantes por termoluminescência e luminescência opticamente estimulada · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Sonia Hatsue Tatumi, Shigueo WatanabeMestrado
- 2010Vanessa Duarte Del CachoProdução e Caracterização de Guias de Onda de Telureto e Germanato para Aplicações em Optoeletrônica · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: L.R.P. Kassab, Inés Pereyra, José Roberto Martinelli, Niklaus Ursus WetterDoutorado
- 2010Michele RodriguesEstudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: João Antonio Martino, José A Diniz, Roberto Ohmori, Antonio Luís Pacheco RotondaroDoutorado
- 2010Rodrigo Trevisoli DoriaOperação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Marcelo Antonio Pavanello, Gilson Inácio Wirth, Mauricio Oka, José Alexandre DinizDoutorado
- 2009Talitha NicolettiEstudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: João Antonio Martinio, Renato Camargo GiacominiMestrado
- 2009Fernando Luis de AlmeidaDesenvolvimento de um sensor eletroquímico planar modificado com 1-2 diaminobenzeno (DAB) para monitoração de nitrito por FIA-automatizada · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Mário Gongora Rubio, Thiago Regis Longo Cesar da PaixãoMestrado
- 2009Alex Fukunaga GomesCalibração e Compensação de Sensores de Pressão Piezoresistivos · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Edgar Charry Rodrigues, Rodrigo Reina MunozMestrado
- 2009André de Oliveira PretoCaracterização de Materiais por Interferometria Holográfica em Cristais Fotorrefrativos Utilizando LASERS de Diodo Multimodo · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Eduardo Acebo Barbosa, Mikia MuramatsuMestrado
- 2009Daniel Scodeler RaimundoNanoestruturas Metálicas e de Silício para Intensificação de Campo Próximo · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Walter Jaimes Salcedo, Francisco Tadeu Degasperi, Ronaldo Domingues Manzano, Alexandre Ichiro HashimotoDoutorado
- 2009Priscila Braga CalíopeCaracterização de Nanofibras através de Técnicas de Processamento de Imagens · Engenharia Elétrica · Universidade de São PauloBanca: Emílio Del Moral Hernandez, Fátima Nelsizeuma Sombra de Medeiros, Roberto Hirata Júnior, Ivette Frida Cymbaum OppenheimDoutorado
- 2009Mariana Amorin FragaDesenvolvimento de Sensores Piezoresistivos de SiC visando Aplicação em Sistemas Aeroespaciais · Física · Instituto Tecnológico de AeronáuticaBanca: Homero S Maciel, Marcos Massi, Ivo C Oliveira, Gilberto Petraconi Filho, Fernando Josepetti FonsecaDoutorado
Revisor de periódico
07 registros- 2018 – presenteVínculo atualDIAMOND AND RELATED MATERIALSRevisor de periódico
- 2017 – presenteVínculo atualIEEE TRANSACTIONS ON NANOBIOSCIENCERevisor de periódico
- 2015 – presenteVínculo atualCORROSION SCIENCERevisor de periódico
- 2014 – 2014MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSINGRevisor de periódico
- 2007 – presenteVínculo atualJournal of the Electrochemical SocietyRevisor de periódico
- 2000 – presenteVínculo atualJICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português)Revisor de periódico
- 2000 – presenteVínculo atualREVISTA BRASILEIRA DE APLICAÇÕES DE VÁCUO (IMPRESSO)Revisor de periódico
Prêmios e títulos
05 registros- 2006Bolsa de produtividade em pesquisa nível 1CCNPq
- 2003Bolsa de Produtividade e m Pesquisa nível 1DCNPq
- 2001Bolsa de Produtividade em Pequisa nível 2ACNPq
- 1999Bolsa de Produtividade em Pesquisa nível 2BCNPq
- 1993Medalha Comemorativa do Centenário de Criação da Escola Politécnicada USPEPUSP
Participação em eventos
32 registros- 2007EOT measurements of ultra-thin gate dielectrics using the tunneling current regime212th Meeting of the Electrochemical Society · Poster / Painel · Participante · Washington
- 2007Electroless deposition of CuNiP alloys onto silicon surfaces22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices · Apresentação Oral · Participante · Rio de Janeiro
- 20065th German Brazilian Workshop on Applied Surface Science (5o. encontro Brasil-Alemanha na area de ciência de superfícies)5th German Brazilian Workshop on Applied Surface Science · Mangaratiba
- 2006II SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology - EDS student Chapter at UNICAMPII SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology · Poster / Painel · Participante · Campinas
- 2006Electroless cobalt thin films deposited onto palladium pre-activated silicon surfaces209th Meeting of the Electrochemical Society · Poster / Painel · Participante · Denver, Colorado
- 2006Carbon outdiffusion from Ni(C)/Pt/Si during nickel silicide formation by rapid thermal annealing21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices-SBMicro 2006 · Apresentação Oral · Participante · Ouro Preto
- 200419th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2004Chp on the Reefs · Porto de Galinhas
- 2004I Worshop de Graduação da Grande Área Elétrica da Escola Politécnica da USPI Worshop de Graduação da Grande Área Elétrica da Escola Politécnica da Escola Politécnica da USP · São Paulo
- 2000IberSensor 2000 - 2nd IberoAmerican Conference on Sensors2nd IberoAmerican Conference on Sensors · Buenos Aires
- 2000III Workshop de microeletrônica e microssistemas do LSIIII Workshop de Microeletrônica e Microssistemas do LSI · São Paulo
- 1999ICMP99 - Internacional Conference on Microelectronics and PackagingICMP99 - Internacional Conference on Microeletronics and Packaging · Campinas
- 1998Escola de Óptica AplicadaEscola de Óptica Aplicada · São Paulo
- 199712th Congress of the Brazilian Microelectronics Society12th Congress of the Brazilian Microelectronics Society · Caxambu
- 1996A electroless mechanism of Cu plating onto Si during HF-last cleanings11th Congress of the Brazilian Microelectronics Society · Águas de Lindóia
- 1996Segundo Workshop IBERCHIPWorkshop IBERCHIP · São Paulo
- 1995First Brazilian/German Workshop on Applied Surface ScienceFirst Brazilian/German Workshop on Applied Surface Science · Mangaratiba
- 199510th Congress of the Brazilian Microelectronics Society/ 1st Ibero American Microelectronics Conference10th Congress of the Brazilian Microelectronics Society/ 1st Ibero American Microelectronics Conference · Canela
- 1994The deposition and removal of surface contaminants from silicon wafers by means of a diluted HF dip followed or not by an isopropyl alcohol boilXIX Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica · São Paulo
- 1993The cleaning of silicon wafers with hot isopropyl alcohol and distilled water as final stepsVIII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica · São Paulo
- 1992Obtenção de camadas ultra-finas de óxido de silício por oxidação térmica rápidaVII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica · São Paulo
- 1990Use of the charge pumping technique for the evaluation of MOSFET degradation due to the stress in te silicide/polysilicon double layerV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica · São Paulo
- 1989IV Congresso da sociedade Brasileira de MicroeletrônicaIV Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica · Porto Alegre
- 1989An experimenta MeasurementTechnique of Interconnection RC Delay for Integrated CircuitsInternational Conference on Microelectronic Test structures · Edimburgo
- 1989European Workshop on Refractory Metals and SilicidesEuropean Workshop on Refractory Metals and Silicides · Houthalen
- 1988Aplicação de filmes de siliceto de titânio na fabricação de transistores nMOSIII Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica · São Paulo
Coautorias
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