Euzi Conceição Fernandes Da Silva.

A principal contribuição científica e tecnológica do projeto será a fabricação de fotodetectores operando em várias faixas do espectro infravermelho e com desempenho parecido ou superior aos dispositivos do mercado internacional. Uma vez os dispositivos otimizados, investigaremos a possibilidade de uma pequena produção de componentes e equipamentos de espectroscopia por refletância no infravermelho que poderão ser usados na defesa agropecuária no controle de qualidade de produções de frutas, grãos, vinhos, óleos e sucos, assim como no combate a pragas e plantas daninhas, ou ainda na detecção de contaminação por agrotóxicos. A fabricação de câmeras infravermelhas de alta sensibilidade requererá um financiamento suplementar e uma pesquisa de mais alguns anos, pois a passagem do fotodetector individual (que será o produto final do presente projeto) à rede bidimensional contendo milhares de fotodetectores (um FPA) envolve equipamentos muito sofisticados e caros, assim como numerosas etapas de processamento (até 60). Quando, num futuro próximo, for possível produzir FPAs no Brasil, o país terá então uma ferramenta extremamente poderosa para a defesa agropecuária, já que esses dispositivos poderão ser usados para detectar insectos, larvas, e machucados em grãos e frutas de maneira muito mais rápida e eficiente que as técnicas atuais, assim como detectar a presença de certos tipos de parasitas e doenças em animais.

Projeto Temático

Estamos utilizando a técnica de fotoluminescência para investigar os processos de recombinação de portadores fotogerados em amostras contendo pontos quânticos.
As medidas estão sendo feitas em função da temperatura.

Projeto destinado à pesquisa de materiais semicondutores.

Investigamos as propriedades de um gás de elétrons confinado nas imediações de pontos quânticos. A caracterização foi realizada com medidas de transporte e as aostras investigadas foram crescidas com a técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE)

Estamos investigando as propriedades de transporte de um gás de elétrons confinado nas proximidades de pontos quânticos. As estruturas que estão sendo analisadas tem um arquitetura que pode ser utilizada na fabracação de fotodetetores de pontos quânticos operando na faixa de décimos de micrometros.

Projeto destinado à produção e caracterização de heteroestruras semicondutoras. Estive
envolvida com a caracterização óptica e eletrica de amostras semicondutoras crescidas no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP.

Este projeto visou a caracterização de heteroestruturas semicondutoras crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Fui encarregada da caracterização ótpica das amostras produzidas no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP.

Projeto que visou a implementação das condições experimentais do Laboratório de Novos Materias Semicondutores do IFUSP. Utilizamos os recursos para ampliar as instações experimentais do laboratório de caracterização de materias semicondutores.

Projeto que visou a implantação do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP.
Com os recursos adquirimos parte do equipamento necessário para a caracterização
ótpica de amostras semiconutoras. Estive encarregada da implantação deste laboratório.

Projeto que visou a produção e caracterização de heteroestruturas semicondutoras.
Minha participação foi relacionada com a caracterização óptica dos sistemas semicondutores crescidos no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP.