Alain André Quivy.

Este projeto tem como objetivo otimizar o crescimento por epitaxia de feixe moelcular de pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs para produzir células solares de alta eficiência. As propriedades ópticas dos pontos quânticos serão avaliadas por medidas fotoluminescência durante a fase de optimização de alguns parâmetros do crescimento, tais como espessuras da submonocamada de InAs e da sua cobertura de GaAs, temperatura e taxa de deposição dos 2 materiais, etc. Na fabricação das células solares, maior atenção será dada à confecção dos contatos elétricas que atualmente ainda têm resistência acima do esperado. O valor total financiado pela FAPESP foi R$ 593.829,26 para aquisição de material de consumo e permanente, assim como bolsa. Vigência de 02/2025 a 01/2028.

Desde 2023, os estudantes universitários precisam dedicar pelo menos 10 dos seus créditos a atividades de extensão. Neste sentido, alguns docentes do instituto de Física, da Escola Politécnica e do Instituto de Matemática da USP tiveram a ideia de propor que estudantes de graduação da USP atuassem como monitores em escolas de ensino média, prestando assim serviça para a comunidade. O projeto tem como objetivo fortalecer o aprendizado dos alunos das escolas públicas do ensino médio nas disciplinas exatas de Física, Matemática e Engenharia (Tecnologia e Robótica). O público alvo é constituído por estudantes da última etapa da Educação Básica (os 3 anos do ensino médio) que já estão se preparando para o Exame Nacional do Ensino Médio (ENEM) e o Provão Paulista. As monitorias possibilitarão um melhor aproveitamento do conhecimento oferecido nas escolas, aumentando assim as chances dos estudantes conseguirem acesso ao sistema de educação de nível superior. Nesta primeira fase do projeto, 102 estudantes da USP estão atuando como monitores nas escolas parceiras.

Este projeto é baseado numa estreita colaboração entre o Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) e o Laboratório Nacional de Energias Renováveis (NREL, National Renewable-Energy Laboratory) dos Estados Unidos, com o objetivo de produzir células solares de pontos quânticos mais eficientes e mais baratas. Para isso, visaremos principalmente produzir dispositivos fotovoltaicos de banda intermediária de boa qualidade, com a possibilidade de usá-los também como conversores de potência, tentando, em paralelo, desenvolver uma técnica para reaproveitar os substratos de GaAs que são uma das partes mais caras do processo de fabricação. O valor total financiado pelo CNPq foi R$ 336.200,00 para visitas ao NREL e aquisição de material de consumo e permanente. Vigência de 12/2024 a 12/2026.

Pretendo usar a técnica MEE (migration enhanced epitaxy) para crescer em nosso sistema MBE (molecular beam epitaxy) pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. Desta maneira, serei capaz de produzir estas nanoestruturas muito promissoras em mais baixa temperatura para limitar o efeito de segregação dos átomos de In, sem gerar uma alta densidade de defeitos estruturais como é geralmente o caso nestas condições. Será então possível obter pontos quânticos de submonocamada de altíssima qualidade, com maior conteúdo de In e com altura mais facilmente controlável. Eles serão usados nos fotodetectores de radiação infravermelha e células solares desenvolvidos em nosso laboratório, cujo desempenho poderá ser consideravelmente melhorado e assegurará a estes dispositivos um lugar de destaque na literatura internacional. Espero assim atrair novas empresas atuando na área e eventualmente reforçar as interações que já temos (ou tivemos) com algumas outras.

Na presente chamada do Edital 14/2014 do CNPq (Universal), solicito a aquisição de um novo canhão de elétrons (e sua unidade de controle) para possamos continuar usando a técnica RHEED em nosso sistema de epitaxia por feixes moleculares (MBE). O canhão atual tem 24 anos, já foi consertado várias vezes (assim como a eletrônica dele) e, fomos avisados que a partir de agora não conseguiremos mais comprar filamentos (que devem ser trocados a cada 2 anos) nem qualquer outro componente caso ele precise de mais um conserto. Portanto, a compra de um novo canhão se torna indispensável se a gente quiser evitar que o sistema MBE pare completamente caso ocorra mais um problema com o canhão atual, o que paralisaria totalmente as pesquisas de dezenas de docentes e estudantes das mais importantes universidades do país que contam com as nossas amostras. Além disso, o novo canhão
possui uma tecnologia mais moderna e uma energia 4 vezes maior que o anterior que possibilitarão estudos novos e a produção de amostras mais complexas.

O objetivo deste projeto é desenvolver fotodetectores de radiação infravermelha de alta qualidade baseados em nanoestruturas semicondutoras, possuindo desempenho igual ou superior aos dispositivos encontrados no mercado mundial e que possam ser usados em aplicações relacionadas com a produção e o controle de qualidade de frutas, sucos e polpas, tais como

- avaliar a umidade e compactação do solo 
- otimizar o sistema de pulverização e irrigação em pomares e plantações
- determinar a porcentagem de cobertura do solo pelos resíduos das colheitas 
- quantificar a resposta dos pomares e plantações à aplicação de vários tipos de agrotóxicos 
- o controle de qualidade do manejo de solo e a sua influência sobre a produção 
- a contribuição para cadernos de campo eletrônicos
- a detecção de princípio de incêndio em pomares, plantações e florestas
- a detecção de infestação de pomares e plantações por alguns tipos de ervas e plantas parasitas ,
- a aquisição de imagens no infravermelho para a geração de dados de entrada de programas extremamente complexos usados em meteorologia, hidrologia e produção agrícola
- a determinação da presença ou não de machucados (invisíveis, pois localizados de baixo da casca) em frutas 
- a detecção de presença de insetos ou larvas em frutas e grãos 
- a detecção dos principais nutrientes presentes no solo , na biomassa e em frutas e grãos
- a determinação quantitativa de vários tipos de elementos químicos de maneira a analisar o teor em agrotóxicos ou homogeneizar a produção e qualidade de vinhos, óleos e sucos de frutas
- a fiscalização (no campo ou nos armazéns) da emissão de metano (gás de efeito estufa) oriundo do apodrecimento de frutas ou biomassa 

Com a ajuda de algumas empresas brasileiras que já mostraram interesse neste tipo de pesquisa, esperamos assim poder atender a demanda do mercado brasileiro e produzir sensores que poderão, no futuro, ser utilizados para a fabricação de câmeras infravermelhas de alto desempenho.

Neste projeto, solicitamos o acesso às técnicas sofisticadas de processamento de dispositivos e análise de amostras disponíveis no INL de Braga (Portugal) para o desenvolvimento de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em poços e pontos quânticos que poderão ser usados no futuro em câmeras infravermelhas para aplicações relacionadas com saúde, meio ambiente e muitas outras áreas estratégicas para o Brasil. Três docentes da equipe brasileira realizarão 4 missões de trabalho de 15 dias ao INL nos dois primeiros anos de vigência do projeto para coordenar as atividades da equipe, se familiarizar com várias técnicas importantes oferecidas pelo INL, e supervisionar os trabalhos dos dois bolsistas (um de doutorado e outro de pós-doutorado) que serão enviados ao INL por uma duração mais longa para realizar tarefas específicas previstas no projeto. Esses dois bolsistas deverão também aprender o domínio de várias técnicas importantes para as atividades científicas de toda a equipe brasileira e, uma vez de volta ao Brasil, compartilhar o conhecimento adquirido e eventualmente implementar algumas daquelas técnicas.

This proposal aims to build up new ties between Princeton University and University of São Paulo (USP) in order to explore innovative semiconductor devices. The project has two main focuses: an interaction between the groups in the development of new thermoelectric materials, and a collaborative research in the growth and characterization of optoelectronic devices such as quantum cascade laser (QCL), quantum cascade detector (QCD), quantum well infrared photodetector (QWIP), quantum dot infrared photodetector (QDIP), as well as gas sensing systems based on these devices. 

One branch of the proposal lies on the development of new semiconductor heterostructures in order to study the heat and electrical propagation in the pursuit of a more efficient thermal energy harvester. The innovation envisioned is on the use of self-assembled quantum dots to create a restraint in the phonon propagation, diminishing the conduction of high frequency phonons and creating an approach to treat heat propagation as waves. The treatment of heat transport as waves, instead of diffusive, would allow the realization of completely new devices, i.e., heat waveguides, diodes for heat, heat lenses and thermal cloaking. 

The other branch is focused on the development and improvement of infrared solid-state lasers and photodetectors that are main research topics of both groups. The group at Princeton is well known for its research with QCLs, and would like to gain more experience in the growth of quantum dots. The group at São Paulo has a large experience with quantum dots and related devices, and would like to take advantage of Princeton?s experience to start producing QCLs. This partnership will thus help improving the expertise of both groups by sharing their complementary know-how on these topics.

Dr. Germano M. Penello, who was recently granted a post-doctoral fellowship in Princeton?s group, is now familiar with all the research topics of both groups, and therefore will be the initial bridge in order to allow further research cooperation and exchange of faculty, post-docs and students.

Pretende-se desenvolver fotodetectores de radiação infravermelha de alto desempenho baseados em nanoestruturas semicondutoras para auxiliar no combate ao desperdício de água potável provocado pelos numerosos vazamentos nas adutoras das companhias de saneamento básico do país. Para isto, será preciso desenvolver e testar estes dispositivos, em boas condições, de modo a otimizar sua propriedades o mais rapidamente possível e poder usar os fotodetectores, num futuro próximo, na fabricação de câmeras capazes de fornecerem imagens infravermelhas de alta qualidade. O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da USP (IFUSP) possui o único sistema de epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy) do Brasil capaz de produzir heteroestruturas quânticas de alta qualidade baseadas em arsenetos do grupo III. Graças a vários projetos individuais do LNMS aprovados recentemente pela Fapesp e pelo CNPq (em 2009), boa parte da infraestrutura necessária para realizar os testes destes dispositivos foi contemplada, faltando basicamente toda a infraestrutura para o processamento das amostras. Atualmente, esta fase de processamento está sendo realizada em laboratórios externos, tais como o Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) e o Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP (EPUSP) assim como o Laboratório de Microfabricação do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) que, além de terem alta demanda, possuem vários equipamentos antigos que apresentam com frequência problemas de funcionamento e permanecem em manutenção por longos períodos. Tal situação tem provocado atrasos sucessivos nos projetos de pesquisa do LNMS.

O objetivo do presente projeto é juntar os esforços e o conhecimento do LNMS (Laboratório de Novos Materiais Semicondutores), localizado no Insituto de Física da USP, e do NAPS (Nanoscopic Physics), pertencente ao Instituto da Matéria Condensada e Nanociência da Universidade Católica de Louvain (UCL), para realizar pesquisas básicas e aplicadas envolvendo pontos quânticos. O grupo NAPS possui uma grande experiência em nanofabricação e microscopia de varredura de ponta de vários tipos (scanning probe microscopy e charge-sensing atomic force microscopy), enquanto que o LNMS é especializado em crescimento MBE e propriedades ópticas e eletrônicas de nanoestruturas semicondutoras e, mais recentemente, iniciou uma nova linha de pesquisa relacionada com o desenvolvimento de fotodetectores de radiação infravermelha de alto desempenho baseados em poços e pontos quânticos. A idéia principal do presente projeto é elaborar alguns tipos especiais de amostras contendo pontos quânticos de InAs autoformados (pelo modo de Sranski-Krastanov) que possam ser investigadas por scanning gate microscopy (SGM), de maneira a poder analisar as propriedades eletrônicas de pequenos ensembles de QDs (ou, no limite, de um único QD). Em seguida, dependendo dos resultados obtidos nas medidas de SGM, estes mesmos QDs serão usados na fabricação de fotodetectores de radiação infravermelha para algumas aplicações específicas (que dependem do comprimento de onda de absorção dos dispositivos). 

O grupo NAPS possui um grande interesse nessa colaboração, devido à possibilidade de obter amostras de QDs de excelente qualidade, enquanto que o LNMS ganhará enormemente com a grande experiência do NAPS na área de processamento de micro e nanodispositivos e poderá aproveitar vários resultados experimentais do NAPS para simular as propriedades ópticas e elétricas dos fotodetectores em fase de desenvolvimento no LNMS.

Neste projeto, pretendemos instalar em nosso laboratório os experimentos de responsividade e de ruído para QWIPs (quantum-well infrared photodetector) e QDIPs (quantum-dot infrared photodetectors) de maneira a podermos caracterizar completamente estes dispositivos do ponto de vista elétrico e óptico. Juntando estes dados experimentais com a simulação computacional das propriedades dos QWIPs e QDIPs que já está sendo realizada no ITA em colaboração com o Coronel Durante, com os resultados espectrais que poderão ser obtidos a partir de outubro de 2008 (também no ITA) pela técnica de espectroscopia por transformada de Fourier no infravermelho (FTIR, Fourier transform infrared spectroscopy) e com as medidas de corrente-voltagem (I-V) que foram recentemente implementadas em nosso laboratório, poderemos obter num mínimo de tempo todas as informações necessárias para montar as figuras de mérito destes dispositivos e otimizar o desempenho deles.

Neste projeto, pretendemos instalar em nosso laboratório os experimentos de responsividade e de ruído para QWIPs (quantum-well infrared photodetector) e QDIPs (quantum-dot infrared photodetectors) de maneira a podermos caracterizar completamente estes dispositivos do ponto de vista elétrico e óptico. Juntando estes dados experimentais com a simulação computacional das propriedades dos QWIPs e QDIPs que já está sendo realizada no ITA em colaboração com o Coronel Durante, com os resultados espectrais que poderão ser obtidos a partir de outubro de 2008 (também no ITA) pela técnica de espectroscopia por transformada de Fourier no infravermelho (FTIR, Fourier transform infrared spectroscopy) e com as medidas de corrente-voltagem (I-V) que foram recentemente implementadas em nosso laboratório, poderemos obter num mínimo de tempo todas as informações necessárias para montar as figuras de mérito destes dispositivos e otimizar o desempenho deles.

Ao contrário da maioria dos métodos de análise, controle, monitoramento e investigação geralmente usados em defesa agropecuária, as técnicas envolvendo a detecção de radiação infravermelha são não destrutivas, rápidas e podem ser usadas no campo com amostras pequenas, o que lhe confere enormes vantagens. Infelizmente, este tipo de aplicações e equipamentos ainda não chegou ao Brasil em razão da falta de pesquisa nacional na área e do alto preço dos fotodetectores, câmeras de alta qualidade e equipamentos associados que precisam ser importados (a altos custos) e que, às vezes, sofrem da restrição de mercado em razão das possíveis aplicações militares. No presente projeto, propomos investigar o crescimento, o processamento, a fabricação e as propriedades de fotodetectores infravermelhos individuais de alta sensibilidade que poderão ser usados em sistemas e equipamentos simples destinados ao controle de qualidade de grãos e frutas, à detecção de contaminação por agrotóxicos, ao controle de manejo, e a outras aplicações de defesa agropecuária.

Neste projeto, propomos uma nova técnica, já empregada no exterior com bastante sucesso, para localizar os vazamentos de água usando a detecção da radiação infravermelha emitida naturalmente pelos corpos. O laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) será encarregado do crescimento, do processamento e da caracterização dos dispositivos, enquanto que a empresa OPTOVAC desenvolverá o encapsulamento assim com a interface eletrônica e a parte óptica e mecânica necessários para o funcionamento autônomo dos fotodetectores e sua eventual comercialização.

Na presente chamada do Edital 14/2009 do CNPq (Universal), solicito a aquisição de um pequeno sistema de deposição de filmes finos que, além de atender a todas as exigências para a produção de bons contatos ôhmicos nos fotodetectores infravermelhos de poços e pontos quânticos atualmente em fase de desenvolvimento em nosso laboratório, será também extremamente útil para muitos dos nossos colaboradores e seus alunos, pertencentes tanto a nosso instituto quanto a várias outras instituições do país.

Esses fotodetectores estão sendo atualmente desenvolvidos em nosso laboratório em colaboração com grupos brasileiros, todos pertencentes ao INCT-DISSE, tendo como objetivo final a fabricação futura de câmeras infravermelhas para aplicações agropecuárias, civis e médicas.

O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP), ao qual pertenço, possui uma longa tradição na área de heteroestruturas semicondutoras de compostos III/V. Temos em nossas instalações um sistema de crescimento para produzir amostras de altíssima qualidade pela técnica de epitaxia por feixes moleculares (MBE, molecular beam epitaxy), assim como vários equipamentos para caracterizá-las por método óptico (fotoluminescência e fotorefletância no infravermelho e no ultravioleta) e elétrico (medidas de efeito Hall e Shubnikov-de Haas em campo magnético até 15 T e em baixa temperatura até 300 mK). Desde a instalação do LNMS, em 1991, o grupo de crescimento
MBE, que eu lidero, já produziu uma ampla variedade de heteroestruturas semicondutoras de arsenetos do grupo III tanto para os pesquisadores e estudantes do nosso laboratório quanto para os grupos de pesquisa da comunidade científica brasileira, e até para alguns grupos estrangeiros. Estas amostras vão de simples camadas maciças, dopadas ou não, até sistemas complexos contendo super-redes, poços quânticos, pontos quânticos ou mesmo camadas com ligas ternárias formando potenciais específicos obtidos pela técnica de liga digital. Nossas atividades de crescimento sempre foram gratuitas para todos os grupos desejando receber
amostras crescidas em nossas instalações, já que todos os gastos em material de consumo, reposição de material e manutenção do sistema de crescimento foram sempre arcados pelo LNMS. O sistema MBE foi inicialmente adquirido com recursos do Banco Interamericano de Desenvolvimento (BID) e, desde então, sua manutenção completa foi sempre realizada com o auxílio das agências de fomento estaduais (FAPESP) e federais (CAPES, CNPQ, PADCT, PRONEX). A FAPESP arcou com a maioria dos gastos para a reposição de material de consumo e permanente importado necessário para a manutenção bianual do sistema, enquanto que as outras agências ou programas nacionais se encarregaram do custeio nacional (material químico,
elétrico, hidráulico, mecânico, bibliográfico, estadias, passagens) e do pagamento de serviços técnicos externos para confecção de peças ou realização de serviços especializados. Infelizmente, o projeto PRONEX do nosso laboratório foi encerrado o ano passado, e junto com ele, acabou a possibilidade de pagamento das contas do nitrogênio líquido que é utilizado durante o crescimento das amostras para resfriar o painel criogênico da câmara de crescimento que atua como uma bomba criogênica para baixar ainda mais a pressão do ambiente e minimizar a incorporação de impurezas nas camadas epitaxiais. Neste projeto, estou solicitando R$45.318,00 para pagar o nitrogênio líquido necessário para o bom funcionamento do sistema
MBE durante os dois próximos anos. Isto é muito importante para que todos os pesquisadores e alunos do nosso laboratório e dos outros grupos da comunidade científica brasileira que dependem das nossas atividades possam continuar recebendo gratuitamente as amostras de alta qualidade necessárias para suas pesquisas.

Neste projeto, objetivamos principalmente a compra de novos controladores de temperatura, obturadores (shutters) e cargas de material para continuarmos a produção de amostras semicondutoras destinadas à pesquisa de nosso laboratório assim como de numerosos pesquisadores da comunidade científica brasileira. Com os novos obturadores, poderemos retomar o estudo da dopagem do tipo p de camadas de GaAs(001) usando o silício como dopante, assim como o crescimento de poços parabólicos com gás tridimensional de elétrons e buracos pelo uso da técnica de liga digital que necessita um grande número de aberturas e fechamento dos obturadores.

Neste projeto, estamos solicitando um sistema de análise do padrão de difração gerado por nosso equipamento RHEED (reflection high-energy electron diffraction). Este sistema é baseado numa câmara CCD e num programa sofisticado de aquisição e tratamento de imagens dedicado exclusivamente para o uso em sistema MBE. O equipamento RHEED é sem dúvida alguma a ferramenta mais importante para o estudo in situ do crescimento epitaxial, e este novo sistema de análise possibilitará o estudo dos vários padrões de difração encontrados em função das condições de crescimentos assim como a determinação dos mecanismos de formação de pontos quânticos de InAs auto organizados e a otimização de suas propriedades em geral.

Neste projeto, estamos solicitando vários conjuntos de pontas e alguns acessórios a serem usados com o microscópio de força atômica e de tunelamento recentemente adquiridos pela professora Cecília Salvadori. Pretendemos investigar as propriedades estruturais e eletrônicas de pontos quânticos de InGaAs crescidos sobre GaAs em nosso grupo pela técnica de epitaxial por feixe molecular (MBE). Usaremos os modos de contato, quase-contato, modulação de força, detecção de fase, força lateral e espectroscopia de tunelamente para obtermos um conjunto completo de dados sobre estas estruturas. Outras técnicas, tais como fotoluminescência e microscopia de transmissão serão também usadas.

Neste projeto, estamos solicitando um sistema de análise do padrão de difração gerado por nosso equipamento RHEED (reflection high-energy electron diffraction). Este sistema é baseado numa câmara CCD e num programa sofisticado de aquisição e tratamento de imagens dedicado exclusivamente para o uso em sistema MBE. O equipamento RHEED é sem dúvida alguma a ferramenta mais importante para o estudo in situ do crescimento epitaxial, e este novo sistema de análise possibilitará o estudo dos vários padrões de difração encontrados em função das condições de crescimentos assim como a determinação dos mecanismos de formação de pontos quânticos de InAs auto organizados e a otimização de suas propriedades em geral.

Neste projeto, estamos solicitando vários conjuntos de pontas e alguns acessórios a serem usados com o microscópio de força atômica e de tunelamento recentemente adquiridos pela professora Cecília Salvadori. Pretendemos investigar as propriedades estruturais e eletrônicas de pontos quânticos de InGaAs crescidos sobre GaAs em nosso grupo pela técnica de epitaxial por feixe molecular (MBE). Usaremos os modos de contato, quase-contato, modulação de força, detecção de fase, força lateral e espectroscopia de tunelamente para obtermos um conjunto completo de dados sobre estas estruturas. Outras técnicas, tais como fotoluminescência e microscopia de transmissão serão também usadas.

Estamos solicitando, em caráter emergencial, um conjunto de vácuo do tipo turbomolecular com bomba mecânica seca pois ocorreu, alguns dias atrás, um vazamento em nosso sistema MBE que deixou o sistema atual de vácuo inoperante. Com o novo sistema de vácuo, poderíamos detectar e consertar o vazamento em algumas horas e evitar uma contaminação geral do sistema MBE. Uma vez solucionado o problema, pretendemos continuar o crescimento das amostras encomendadas pela comunidade científica brasileira e aquelas relacionadas com nossas próprias linhas de pesquisa.

Estamos solicitando uma impressora colorida e um computador com uma grande capacidade de processamento para tratarmos as imagens provenientes do novo microscópio de tunelamento recentemente construído em nosso grupo. Este pedido tem como principal objetivo a instalação de um tratamento de imagens com numerosos recursos gráficos. Com esta ferramenta, teremos condições de obtermos informações e parâmetros físicos muito importantes para o estudo das propriedades de superfícies, e publicarmos imagens com a qualidade necessária exigida pela revistas atuando nesta área.

Em dezembro de 1996, precisaremos abrir nosso sistema de crescimento por feixe molecular para trocarmos alguns componentes importantes e recarregarmos todas as células de efusão. Neste projeto, estamos solicitando, em caráter emergencial, as peças de reposição que estão faltando e os materiais de crescimento necessários. Pretendemos, num mínimo de tempo, trocar todos os componentes defeituosos de nosso sistema e recarregar as células, de tal forma a estarmos em condições, o mais rapidamente possível, de continuarmos a produção de heteroestruturas semicondutoras de compostos HIV de excelente qualidade para a comunidade científica.

Nós estamos querendo construir um microscópio de tunelamento (STM) para estudar heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V crescidas na nossa máquina de epitaxia por feixe molecular (MBE). O STM é sem dúvida alguma um aparelho único para a análise tanto de superfícies quanto de propriedades elétricas locais. Como microscópio, ele possui uma resolução lateral de 3A e vertical de 0.01A. Como aparelho de espectroscopia, ele representa uma sonda local de alta precisão devido à natureza eletrônica e à pequena dimensão do feixe túnel. Estudaremos com ele a incorporação de dopantes na rede cristalina e sua influência sobre as propriedades eletrônicas locais do material. Os fenômenos físicos e químicos envolvidos na interface entre duas ligas de composições diferentes serão também investigados. Outros grupos de pesquisa estão muito interessados na construção de um STM funcionando no vácuo e no hélio líquido.